NCD57256DR2G

NCD57256DR2G উন্নত অভিযোজনযোগ্যতার জন্য ডুয়াল লো-সাইড, ডুয়াল হাই-সাইড বা হাফ-ব্রিজ ড্রাইভার হিসাবে কনফিগার করা যেতে পারে। ওভারল্যাপ এবং ডেড টাইম কন্ট্রোল সহ প্রোগ্রামেবল কন্ট্রোল বিকল্পগুলি সুনির্দিষ্ট স্যুইচিং অপারেশনের জন্য অনুমতি দেয়। ডিভাইসটিতে পাওয়ার সাপ্লাই সিকোয়েন্সিংয়ের জন্য একটি নিষ্ক্রিয় পিন এবং অর্ধ-ব্রিজ কনফিগারেশন সহজ করার জন্য একটি ANB বৈশিষ্ট্য অন্তর্ভুক্ত রয়েছে। এটি শর্ট সার্কিটের সময় IGBT/MOSFET গেট ক্ল্যাম্পিং এবং আঁটসাঁট UVLO থ্রেশহোল্ডের সাথে নিরাপত্তাকে অগ্রাধিকার দেয়। চমৎকার 2.5 বা 5 kVrms গ্যালভানিক বিচ্ছিন্নতা উচ্চ ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনে শক্তিশালী কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে। উপরন্তু, এটি মোটরগাড়ি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শভাবে উপযুক্ত, AEC-Q100 অনুগত এবং PPAP ক্ষমতা রয়েছে। অবশেষে, সীসা-মুক্ত, হ্যালোজেন-মুক্ত/ব্রোমিনেটেড ফ্লেম রিটার্ড্যান্ট-মুক্ত, এবং RoHS কমপ্লায়েন্ট ডিভাইস হিসাবে এর পরিবেশগত সম্মতি এটিকে একটি পরিবেশ বান্ধব পছন্দ করে তোলে। সংক্ষেপে, NCD57256DR2G গেট ড্রাইভার বিভিন্ন ধরনের অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অতুলনীয় বহুমুখিতা, কর্মক্ষমতা এবং নিরাপত্তা প্রদান করে।

• ইভি চার্জার

• মোটর নিয়ন্ত্রণ

• নিরবচ্ছিন্ন বিদ্যুৎ সরবরাহ (UPS)

• শিল্প বিদ্যুৎ সরবরাহ

• সোলার ইনভার্টার

• স্বয়ংচালিত অ্যাপ্লিকেশন

NCx5725y হল হাই-কারেন্ট দুই চ্যানেল আইসোলেটেড IGBT/MOSFET গেট ড্রাইভার যার 2.5 বা 5 kVrms* ইনপুট থেকে প্রতিটি আউটপুটে অভ্যন্তরীণ গ্যালভানিক আইসোলেশন এবং দুটি আউটপুট চ্যানেলের মধ্যে কার্যকরী বিচ্ছিন্নতা। ডিভাইসটি ইনপুট সাইডে 3.3 V থেকে 20 V বায়াস ভোল্টেজ এবং সিগন্যাল লেভেল এবং আউটপুট সাইডে 32 V পর্যন্ত বায়াস ভোল্টেজ গ্রহণ করে। ডিভাইসটি পরিপূরক ইনপুট গ্রহণ করে এবং সিস্টেম ডিজাইনের সুবিধার জন্য নিষ্ক্রিয় এবং ডেড টাইম নিয়ন্ত্রণের জন্য পৃথক পিন অফার করে। চালকরা ওয়াইড বডি SOIC−16 এবং ন্যারো বডি SOIC−16 প্যাকেজে উপলব্ধ।

গরম ট্যাগ: ncd57256dr2g, চীন ncd57256dr2g নির্মাতারা, সরবরাহকারী